上一节重点讲解了三极管的低频等效模型－“hybrid－pi”模型，低频等效模型只不过并不完备，因为这一模型没任何比特率的容许，只限于于低频运营下的近似于分析。这一节我们将更进一步考虑到给三极管带给比特率限值的宿主参数，从而对hybrid－pi低频等效模型展开完备。我们告诉任何的PN结都会不存在结电容，因此我们可以预见三极管的base－emitter和base－collector都不存在着结电容，这些结电容不会随着PN结之间的电压而变化。

另外由前面章节我们告诉三极管base－emitter之间存储的电荷不会随着Vbe之间的偏置电压的变化而变化，Vbe减少，Base存储的电荷就不会激增，base－emitter之间存储电荷的变化可以等效成结电容的变化。因此我们获得三极管的高频等效模型如下：其中：Cje：Base－emitter之间的消耗型电容Cb：Base近于扩散电容Cjc：Base－collector之间的消耗型电容接下来我们对上述三极管高频等效模型展开一些优化和改动。1）把Cb与Cje统一成单一的结电容CΠ2）把Cjc重新命名为Cμ3）减少基极等效电阻rx最后的高频等效如下：那么我们怎样从规格书中获得CΠ和Cμ那？Cμ比较非常简单，它就是base－collector之间的结电容。

我们再行要告诉base－collector之间的结电压，然后根据结电容与结电压之间的曲线要求出有Cμ。CΠ比较简单，我们必须间接获得CΠ。一般来说，三极管的规格书中不会得出电流增益－比特率曲线图，从此图中我们需要得出结论电流增益为1的频率点ωT。更进一步由三极管高频等效模型推论电流增益－比特率fT。

近似于得出结论：从而：因此，我们可以利用如下关系式获得三极管的等效电容参数CΠ和Cμ。下一节我们将讲解三极管规格书上的一些最重要参数。

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